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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Prezzo unitario : Fr. 0.22722
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SMCJ110AHE3/9AT | |
|---|---|
Codice DigiKey | SMCJ110AHE3/9AT-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SMCJ110AHE3/9AT |
Descrizione | TVS DIODE 110VWM 177VC DO214AB |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | 177V Fascetta 8,5A Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale DO-214AB (SMCJ) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs) 8,5A |
Produttore | Potenza - Impulso di picco 1500W (1,5kW) |
Serie | Protezione linea di alimentazione No |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Grado Automobilistico |
Tipo Zener | Qualifica AEC-Q101 |
Canali unidirezionali 1 | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione - Interdizione inversa (tip.) 110V | Contenitore/involucro DO-214AB, SMC |
Tensione - Rottura (min) 122V | Contenitore del fornitore |
Tensione - Tenuta (max) a Ipp 177V | Codice componente base |
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Sostituti (9)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SMCJ110AHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMCJ110AHE3_A/I-ND | Fr. 0.22722 | Diretto |
| 5.0SMDJ110A | Littelfuse Inc. | 1’593 | 5.0SMDJ110ACT-ND | Fr. 2.20000 | Simile |
| 5.0SMDJ110A-T7 | Littelfuse Inc. | 0 | 5.0SMDJ110A-T7-ND | Fr. 0.73060 | Simile |
| SMCJ110AE3/TR13 | Microchip Technology | 0 | SMCJ110AE3/TR13-ND | Fr. 0.45587 | Simile |
| SMCJ110E3/TR13 | Microchip Technology | 0 | SMCJ110E3/TR13-ND | Fr. 0.45587 | Simile |
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