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SMCJ110CA-E3/9AT | |
|---|---|
Codice DigiKey | SMCJ110CA-E3/9AT-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SMCJ110CA-E3/9AT |
Descrizione | TVS DIODE 110VWM 177VC DO214AB |
Tempi di consegna standard del produttore | 14 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | 177V Fascetta 8,5A Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale DO-214AB (SMCJ) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SMCJ110CA-E3/9AT Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs) 8,5A |
Produttore | Potenza - Impulso di picco 1500W (1,5kW) |
Serie | Protezione linea di alimentazione No |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Applicazioni Uso generale |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo Zener | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Canali bidirezionali 1 | Contenitore/involucro DO-214AB, SMC |
Tensione - Interdizione inversa (tip.) 110V | Contenitore del fornitore |
Tensione - Rottura (min) 122V | Codice componente base |
Tensione - Tenuta (max) a Ipp 177V |
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Sostituti (24)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SMCJ110CA-M3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMCJ110CA-M3/57T-ND | Fr. 0.30267 | Diretto |
| SMCJ110CA-M3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMCJ110CA-M3/9AT-ND | Fr. 0.30267 | Diretto |
| SMCJ110CAHE3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMCJ110CAHE3/57T-ND | Fr. 0.00000 | Diretto |
| SMCJ110CAHE3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMCJ110CAHE3/9AT-ND | Fr. 0.00000 | Diretto |
| SMCJ110CA | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | SMCJ110CAFSTR-ND | Fr. 0.18471 | Diretto |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’500 | Fr. 0.20178 | Fr. 706.23 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.20178 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.21812 |
