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SMCJ33CAHE3/57T | |
|---|---|
Codice DigiKey | SMCJ33CAHE3/57TGITR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SMCJ33CAHE3/57T |
Descrizione | TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AB |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | 53,3V Fascetta 28,1A Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale DO-214AB (SMCJ) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SMCJ33CAHE3/57T Modelli |
Categoria | Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs) 28,1A |
Produttore | Potenza - Impulso di picco 1500W (1,5kW) |
Serie | Protezione linea di alimentazione No |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Grado Automobilistico |
Tipo Zener | Qualifica AEC-Q101 |
Canali bidirezionali 1 | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione - Interdizione inversa (tip.) 33V | Contenitore/involucro DO-214AB, SMC |
Tensione - Rottura (min) 36,7V | Contenitore del fornitore |
Tensione - Tenuta (max) a Ipp 53,3V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SMCJ33CA-E3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 20’531 | SMCJ33CA-E3/57TGICT-ND | Fr. 0.76000 | Diretto |
| SMCJ33CA-E3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 7’128 | SMCJ33CA-E3/9ATGICT-ND | Fr. 0.85000 | Diretto |
| SMCJ33CA-M3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMCJ33CA-M3/57T-ND | Fr. 0.25769 | Diretto |
| SMCJ33CA-M3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMCJ33CA-M3/9AT-ND | Fr. 0.25769 | Diretto |
| SMCJ33CAHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 3’691 | 112-SMCJ33CAHE3_A/HCT-ND | Fr. 1.25000 | Diretto |










