SMCJ8.0AHE3_A/I è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
Sostituti disponibili:

Equivalente parametrico

SMCJ8.0A-E3/57T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 1’681
Prezzo unitario : Fr. 0.27000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SMCJ8.0A-E3/9AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.16469
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SMCJ8.0A-M3/57T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.23643
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SMCJ8.0A-M3/9AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.22399
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SMCJ8.0AHE3/57T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.00000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SMCJ8.0AHE3/9AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.00000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SMCJ8.0AHE3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.24446
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SMCJ8.0AHM3/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.00000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SMCJ8.0AHM3/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.00000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SMCJ8.0AHM3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.21993
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SMCJ8.0AHM3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.21918
Scheda tecnica

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Taiwan Semiconductor Corporation
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.18393
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Taiwan Semiconductor Corporation
In magazzino: 2’130
Prezzo unitario : Fr. 0.52000
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Equivalente parametrico

1.5SMCJ8.0A_R1_00001
Panjit International Inc.
In magazzino: 800
Prezzo unitario : Fr. 1.23000
Scheda tecnica
Visualizza e confronta tutti i componenti sostitutivi
1.5SMC220AHE3_A/I
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SMCJ8.0AHE3_A/I

Codice DigiKey
SMCJ8.0AHE3_A/I-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore
SMCJ8.0AHE3_A/I
Descrizione
TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO214AB
Tempi di consegna standard del produttore
15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
13,6V Fascetta 110,3 A Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale DO-214AB (SMCJ)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie
TransZorb®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo
Zener
Canali unidirezionali
1
Tensione - Interdizione inversa (tip.)
8V
Tensione - Rottura (min)
8,89V
Tensione - Tenuta (max) a Ipp
13,6V
Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs)
110,3 A
Potenza - Impulso di picco
1500W (1,5kW)
Protezione linea di alimentazione
No
Applicazioni
-
Capacità a frequenza
-
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
DO-214AB, SMC
Contenitore del fornitore
DO-214AB (SMCJ)
Codice componente base
SMCJ8.0
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’500Fr. 0.24365Fr. 852.77
7’000Fr. 0.22582Fr. 1’580.74
10’500Fr. 0.21674Fr. 2’275.77
17’500Fr. 0.21200Fr. 3’710.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.24365
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.26339