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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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SMCJ9.0AHE3/9AT | |
|---|---|
Codice DigiKey | SMCJ9.0AHE3/9AT-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SMCJ9.0AHE3/9AT |
Descrizione | TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AB |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | 15,4V Fascetta 97,4 A Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale DO-214AB (SMCJ) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs) 97,4 A |
Produttore | Potenza - Impulso di picco 1500W (1,5kW) |
Serie | Protezione linea di alimentazione No |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Grado Automobilistico |
Tipo Zener | Qualifica AEC-Q101 |
Canali unidirezionali 1 | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione - Interdizione inversa (tip.) 9V | Contenitore/involucro DO-214AB, SMC |
Tensione - Rottura (min) 10V | Contenitore del fornitore |
Tensione - Tenuta (max) a Ipp 15,4V | Codice componente base |
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Sostituti (11)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SMCJ9.0A-M3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMCJ9.0A-M3/57T-ND | Fr. 0.24029 | Diretto |
| SMCJ9.0AHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMCJ9.0AHE3_A/I-ND | Fr. 0.22722 | Diretto |
| SM15T12A | STMicroelectronics | 5’038 | 497-3715-1-ND | Fr. 1.19000 | Simile |
| SMCJ8.5A-13-F | Diodes Incorporated | 17’500 | SMCJ8.5A-FDICT-ND | Fr. 1.21000 | Simile |
| SMCJ9.0E3/TR13 | Microchip Technology | 0 | SMCJ9.0E3/TR13-ND | Fr. 0.45587 | Simile |
In magazzino: 0
