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SS33HE3_B/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Prezzo unitario : Fr. 0.16324
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SS33-E3/57T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Equivalente parametrico

SS33-E3/9AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 1’102
Prezzo unitario : Fr. 0.50000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SS33-M3/57T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.14249
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Equivalente parametrico

SS33-M3/9AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
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B330-13-F
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In magazzino: 11’853
Prezzo unitario : Fr. 0.50000
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Equivalente parametrico

SK33_R1_00001
Panjit International Inc.
In magazzino: 800
Prezzo unitario : Fr. 0.37000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SK33E3/TR13
Microchip Technology
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.00000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

SS33H
Taiwan Semiconductor Corporation
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.14481
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DO-214AB SMC
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DO-214AB SMC
DO-214AB, SMC

SS33HE3_A/I

Codice DigiKey
SS33HE3_A/I-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore
SS33HE3_A/I
Descrizione
DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 30 V 3A A montaggio superficiale DO-214AB (SMC)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Fuori produzione presso Digi-Key
Tecnologia
Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
30 V
Corrente - Media rettificata (Io)
3A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
500 mV @ 3 A
Velocità
Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Corrente - Dispersione inversa a Vr
500 µA @ 30 V
Capacità a Vr, F
-
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
DO-214AB, SMC
Contenitore del fornitore
DO-214AB (SMC)
Temp. di funzionamento - Giunzione
-55°C ~ 125°C
Codice componente base
SS33
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