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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Scheda tecnica
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SS35HE3_A/H | |
|---|---|
Codice DigiKey | SS35HE3_A/H-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SS35HE3_A/H |
Descrizione | DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AB |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 50 V 3A A montaggio superficiale DO-214AB (SMC) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Corrente - Dispersione inversa a Vr 500 µA @ 50 V |
Produttore | Grado Automobilistico |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Qualifica AEC-Q101 |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Tipo di montaggio |
Tecnologia | Contenitore/involucro |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 50 V | Contenitore del fornitore DO-214AB (SMC) |
Corrente - Media rettificata (Io) 3A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 750 mV @ 3 A | Codice componente base |
Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) |
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Sostituti (3)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SS35HE3_B/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SS35HE3_B/H-ND | Fr. 0.22338 | Diretto |
| 5822SMJ/TR13 | Microchip Technology | 0 | 5822SMJ/TR13-ND | Fr. 0.86376 | Simile |
| 5822SMJE3/TR13 | Microchip Technology | 5’035 | 150-5822SMJE3/TR13CT-ND | Fr. 1.21000 | Simile |
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