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US1A-E3/5AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 769
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Equivalente parametrico

US1A-E3/61T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 5’215
Prezzo unitario : Fr. 0.34000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

US1A-M3/5AT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Equivalente parametrico

US1AHE3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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US1AHE3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
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Taiwan Semiconductor Corporation
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HS1AH
Taiwan Semiconductor Corporation
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US1A
Taiwan Semiconductor Corporation
In magazzino: 0
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US1A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
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US1A R3G
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DO-214AC, SMA
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US1A-M3/61T

Codice DigiKey
US1A-M3/61T-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore
US1A-M3/61T
Descrizione
DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC
Tempi di consegna standard del produttore
10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 50 V 1A A montaggio superficiale DO-214AC (SMA)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
Standard
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
50 V
Corrente - Media rettificata (Io)
1A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
1 V @ 1 A
Velocità
Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
50 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
10 µA @ 50 V
Capacità a Vr, F
15pF a 4V, 1MHz
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
DO-214AC, SMA
Contenitore del fornitore
DO-214AC (SMA)
Temp. di funzionamento - Giunzione
-55°C ~ 150°C
Codice componente base
US1A
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
12’600Fr. 0.06223Fr. 784.10
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.06223
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.06727