V15P22HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Prodotti a semiconduttore discreti

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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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V15P22HM3/I
Codice DigiKey	112-V15P22HM3/ITR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore	V15P22HM3/I
Descrizione	DIODE SCHOTTKY 200V 3.3A TO277A
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 200 V 3,3A A montaggio superficiale TO-277A (SMPC)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli
Produttore	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Fuori produzione presso Digi-Key
Tecnologia	Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	200 V
Corrente - Media rettificata (Io)	3,3A
Tensione - Diretta (Vf) max a If	910 mV @ 15 A
Velocità	Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Corrente - Dispersione inversa a Vr	350 µA @ 200 V
Capacità a Vr, F	835pF a 4V, 1MHz
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-277, 3-PowerDFN
Contenitore del fornitore	TO-277A (SMPC)
Temp. di funzionamento - Giunzione	-40°C ~ 175°C

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