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Sostituti disponibili:

Equivalente parametrico

V2FM10-M3/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.35000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

V2FM10-M3/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 10’000
Prezzo unitario : Fr. 0.23000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

V2FM10HM3/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 125
Prezzo unitario : Fr. 0.29000
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DO-219AB SFM
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DO-219AB SFM
DO-219AB SFM

V2FM10HM3/I

Codice DigiKey
V2FM10HM3/I-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore
V2FM10HM3/I
Descrizione
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO219AB
Tempi di consegna standard del produttore
10 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 100 V 2A A montaggio superficiale DO-219AB (SMF)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
V2FM10HM3/I Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie
eSMP®, TMBS®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
100 V
Corrente - Media rettificata (Io)
2A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
830 mV @ 2 A
Velocità
Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Corrente - Dispersione inversa a Vr
55 µA @ 100 V
Capacità a Vr, F
150pF a 4V, 1MHz
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
DO-219AB
Contenitore del fornitore
DO-219AB (SMF)
Temp. di funzionamento - Giunzione
-40°C ~ 175°C
Codice componente base
V2FM10
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
10’000Fr. 0.06409Fr. 640.90
20’000Fr. 0.05883Fr. 1’176.60
30’000Fr. 0.05615Fr. 1’684.50
50’000Fr. 0.05314Fr. 2’657.00
70’000Fr. 0.05135Fr. 3’594.50
100’000Fr. 0.05000Fr. 5’000.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.06409
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.06928