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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 2’538
Prezzo unitario : Fr. 3.68000
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.89315
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Prezzo unitario : Fr. 0.71692
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VS-8EWF10STRR-M3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | VS-8EWF10STRR-M3-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | VS-8EWF10STRR-M3 |
Descrizione | DIODE STANDARD 1000V 8A TO252AA |
Tempi di consegna standard del produttore | 21 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 1000 V 8A A montaggio superficiale |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) |
Produttore | Tempo di recupero inverso (Trr) 270 ns |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 µA @ 1000 V |
Stato componente Attivo | Tipo di montaggio |
Tecnologia | Contenitore/involucro |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 1000 V | Contenitore del fornitore TO-252AA (DPAK) |
Corrente - Media rettificata (Io) 8A | Temp. di funzionamento - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.3 V @ 8 A | Codice componente base |
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Sostituti (3)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| VS-8EWF10S-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 2’538 | VS-8EWF10S-M3GI-ND | Fr. 3.68000 | Equivalente parametrico |
| VS-8EWF10STR-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | VS-8EWF10STR-M3-ND | Fr. 0.89315 | Equivalente parametrico |
| VS-8EWF10STRL-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | VS-8EWF10STRL-M3-ND | Fr. 0.71692 | Equivalente parametrico |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.71872 | Fr. 2’156.16 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.71872 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.77694 |
