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VS-8TQ080SHM3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Prezzo unitario : Fr. 0.65236
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Equivalente parametrico

VS-8TQ080STRLHM3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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VS-8TQ080STRR-M3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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VS-8TQ080STRRHM3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Prezzo unitario : Fr. 0.68793
Scheda tecnica
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MBRB15H50CT-E3/81
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VS-8TQ080STRL-M3

Codice DigiKey
112-VS-8TQ080STRL-M3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore
VS-8TQ080STRL-M3
Descrizione
DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO263AB
Tempi di consegna standard del produttore
13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 80 V 8A A montaggio superficiale TO-263AB (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
80 V
Corrente - Media rettificata (Io)
8A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
720 mV @ 8 A
Velocità
Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Corrente - Dispersione inversa a Vr
550 µA @ 80 V
Capacità a Vr, F
500pF a 5V, 1MHz
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Contenitore del fornitore
TO-263AB (D2PAK)
Temp. di funzionamento - Giunzione
-55°C ~ 175°C
Codice componente base
8TQ080
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Quantità
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
8’000Fr. 0.41070Fr. 3’285.60
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.41070
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.44397