VS-C12ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Prodotti a semiconduttore discreti

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VS-C12ET07T-M3
Codice DigiKey	751-VS-C12ET07T-M3-ND
Produttore	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore	VS-C12ET07T-M3
Descrizione	DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 650 V 12A Foro passante TO-220AC

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli
Produttore	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	650 V
Corrente - Media rettificata (Io)	12A
Tensione - Diretta (Vf) max a If	1.7 V @ 12 A
Velocità	Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Corrente - Dispersione inversa a Vr	65 µA @ 650 V
Capacità a Vr, F	515pF a 1V, 1MHz
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore/involucro	TO-220-2
Contenitore del fornitore	TO-220AC
Temp. di funzionamento - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Codice componente base	C12ET07