SI1050X-T1-GE3 Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

SI1050X-T1-GE3 è obsoleto e non è più in produzione.

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Vishay Siliconix

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SI1050X-T1-GE3
Codice DigiKey	SI1050X-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI1050X-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI1050X-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI1050X-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 8 V 1,34 A (Ta) 236mW (Ta) A montaggio superficiale SC-89 (SOT-563F)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI1050X-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	8 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,34 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	86mohm a 1,34A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	900mV a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	11.6 nC @ 5 V
Vgs (max)	±5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	585 pF @ 4 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	236mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SC-89 (SOT-563F)
Contenitore/involucro	SOT-563, SOT-666
Codice componente base	SI1050