2N7002K-T1-E3 Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

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2N7002K-T1-E3
Codice DigiKey	742-2N7002K-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-2N7002K-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-2N7002K-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	2N7002K-T1-E3
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	2N7002K-T1-E3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	300mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	30 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	350mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	2N7002

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Nastrato in bobina (TR)