Name: IRF510STRRPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF510STRRPBFTR-ND
Price: 1.8377 CHF
Availability: InStock

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IRF510STRRPBF
Codice DigiKey	IRF510STRRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF510STRRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF510STRRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	IRF510STRRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 5,6 A (Tc) 3,7W (Ta), 43W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8.3 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 180 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 3,7W (Ta), 43W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,6 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 540mohm a 3,4A, 10V	Codice componente base IRF510

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.70000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.83770

IRF510STRRPBF