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Canale N 200 V 3,3 A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Foro passante I2PAK
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IRF610LPBF

Codice DigiKey
IRF610LPBF-ND
Produttore
Codice produttore
IRF610LPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
37 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 200 V 3,3 A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Foro passante I2PAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
8.2 nC @ 10 V
Confezionamento
Tubo
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
140 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 36W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
200 V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
I2PAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
1,5ohm a 2A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (7)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
FQP4N20Lonsemi12FQP4N20L-NDFr. 1.36000Simile
IPP023N04NGXKSA1Infineon Technologies0IPP023N04NGXKSA1-NDFr. 0.00000Simile
IPP039N04LGXKSA1Infineon Technologies0448-IPP039N04LGXKSA1-NDFr. 0.52820Simile
IPP041N04NGXKSA1Infineon Technologies516448-IPP041N04NGXKSA1-NDFr. 1.38000Simile
IPP042N03LGXKSA1Infineon Technologies0IPP042N03LGXKSA1-NDFr. 0.52458Simile
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 0.62188Fr. 621.88
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.62188
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.67225