Name: IRF610SPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF610SPBF-ND
Price: 2.12957 CHF
Availability: InStock

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IRF610SPBF
Codice DigiKey	IRF610SPBF-ND
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	IRF610SPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 3,3 A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF610SPBF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,3 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,5ohm a 2A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	8.2 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	140 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IRF610

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In magazzino: 2’018

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 1.97000	Fr. 1.97
50	Fr. 0.96340	Fr. 48.17
100	Fr. 0.86550	Fr. 86.55
500	Fr. 0.69384	Fr. 346.92
1’000	Fr. 0.63865	Fr. 638.65
2’000	Fr. 0.59224	Fr. 1’184.48
5’000	Fr. 0.55900	Fr. 2’795.00

Contenitore standard del produttore

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