Name: IRF9Z24STRRPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRF9Z24STRRPBF-ND
Price: 0.86608 CHF
Availability: OutOfStock

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IRF9Z24STRRPBF
Codice DigiKey	IRF9Z24STRRPBF-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	IRF9Z24STRRPBF
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 11 A (Tc) 3,7W (Ta), 60W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	11 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	280mohm a 6,6A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	570 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,7W (Ta), 60W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IRF9Z24

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.80118
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.86608

IRF9Z24STRRPBF