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Vishay Siliconix
In magazzino: 1
Prezzo unitario : Fr. 4.70000
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In magazzino: 0
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In magazzino: 783
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In magazzino: 457
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In magazzino: 799
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In magazzino: 0
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Scheda tecnica
SIHP23N60E-GE3
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IRFB18N50K

Codice DigiKey
IRFB18N50K-ND
Produttore
Codice produttore
IRFB18N50K
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 500 V 17 A (Tc) 220W (Tc) Foro passante TO-220AB
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IRFB18N50K Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
290mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2830 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
220W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-220AB
Contenitore/involucro
Codice componente base
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