IRFB9N65APBF Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

IRFB9N65APBF è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Simile

IXYS

In magazzino: 240

Prezzo unitario : Fr. 4.38000

Simile

STMicroelectronics

In magazzino: 0

Prezzo unitario : Fr. 1.12810

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IRFB9N65APBF
Codice DigiKey	IRFB9N65APBF-ND
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	IRFB9N65APBF
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 8,5 A (Tc) 167W (Tc) Foro passante TO-220AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFB9N65APBF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	8,5 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	930mohm a 5,1A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1417 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	167W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220AB
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	IRFB9