IRFBE30 è obsoleto e non è più in produzione.
Sostituti disponibili:

Diretto


Vishay Siliconix
In magazzino: 1’042
Prezzo unitario : Fr. 1.60000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico


Vishay Siliconix
In magazzino: 380
Prezzo unitario : Fr. 4.04000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 1’774
Prezzo unitario : Fr. 1.63000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 195
Prezzo unitario : Fr. 1.83000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 863
Prezzo unitario : Fr. 1.96000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 927
Prezzo unitario : Fr. 2.12000
Scheda tecnica
SIHP23N60E-GE3
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IRFBE30

Codice DigiKey
IRFBE30-ND
Produttore
Codice produttore
IRFBE30
Descrizione
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 800 V 4,1 A (Tc) 125W (Tc) Foro passante TO-220AB
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IRFBE30 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3ohm a 2,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1300 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-220AB
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Obsoleto
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