IRLD110PBF Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

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IRLD110PBF
Codice DigiKey	IRLD110PBF-ND
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	IRLD110PBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 1 A (Ta) 1,3W (Ta) Foro passante 4-HVMDIP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRLD110PBF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4V, 5V
RDSon (max) a Id, Vgs	540mohm a 600mA, 5V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	6.1 nC @ 5 V
Vgs (max)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	250 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,3W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	4-HVMDIP
Contenitore/involucro	4-DIP (0,300", 7,62mm)
Codice componente base	IRLD110