Name: IRFL110TRPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFL110PBFTR-ND
Price: 0.6486 CHF
Availability: InStock

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IRFL110TRPBF
Codice DigiKey	IRFL110PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRFL110PBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRFL110PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	IRFL110TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 1,5 A (Tc) 2W (Ta), 3,1W (Tc) A montaggio superficiale SOT-223
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFL110TRPBF Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,5 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	540mohm a 900mA, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	8.3 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	180 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 3,1W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	IRFL110

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 0.60000	Fr. 0.60
10	Fr. 0.58700	Fr. 5.87

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.60000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.64860

IRFL110TRPBF