IRFPC50APBF Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

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IRFPC50APBF
Codice DigiKey	IRFPC50APBF-ND
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	IRFPC50APBF
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 11 A (Tc) 180W (Tc) Foro passante TO-247AC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRFPC50APBF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	11 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	580mohm a 6A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2100 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	180W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247AC
Contenitore/involucro	TO-247-3
Codice componente base	IRFPC50

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
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25	Fr. 3.30280	Fr. 82.57
100	Fr. 2.75360	Fr. 275.36

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