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Sostituti disponibili:

Equivalente parametrico


Vishay Siliconix
In magazzino: 3’115
Prezzo unitario : Fr. 0.74000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico


Vishay Siliconix
In magazzino: 1’918
Prezzo unitario : Fr. 1.93000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico


Vishay Siliconix
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.58097
Scheda tecnica

Equivalente parametrico


Vishay Siliconix
In magazzino: 482
Prezzo unitario : Fr. 1.02000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico


Vishay Siliconix
In magazzino: 2’784
Prezzo unitario : Fr. 1.08000
Scheda tecnica
SIHD5N80AE-GE3
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IRFR320PBF-BE3

Codice DigiKey
742-IRFR320PBF-BE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IRFR320PBF-BE3
Descrizione
N-CHANNEL 400V
Tempi di consegna standard del produttore
15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 400 V 3,1 A (Tc) 2,5W (Ta), 42W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
400 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,8ohm a 1,9A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
350 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,5W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.61466Fr. 1’843.98
6’000Fr. 0.59898Fr. 3’593.88
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.61466
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.66445