Canale N 30 V 33 A (Tc) 57W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA (DPAK)
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IRFR3303PBF

Codice DigiKey
IRFR3303PBF-ND
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IRFR3303PBF
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 33 A (Tc) 57W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
33 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
31mohm a 18A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
750 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
57W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252AA (DPAK)
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
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