IRFR430ATRRPBF è obsoleto e non è più in produzione.
Sostituti disponibili:

Simile


IXYS
In magazzino: 84
Prezzo unitario : Fr. 3.64000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 1.45000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 3’309
Prezzo unitario : Fr. 1.34000
Scheda tecnica

Simile


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 3’549
Prezzo unitario : Fr. 1.69000
Scheda tecnica

Simile


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 1’699
Prezzo unitario : Fr. 1.73000
Scheda tecnica
Canale N 500 V 5 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IRFR430ATRRPBF

Codice DigiKey
IRFR430ATRRPBF-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IRFR430ATRRPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 500 V 5 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,7ohm a 3A, 10V
Vgs(th) max a Id
4,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
490 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
110W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
DPAK
Contenitore/involucro
Codice componente base
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

Obsoleto
Questo prodotto non più in produzione. Visualizza Articoli sostitutivi o Tipi di contenitori alternativi.