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IRFSL9N60ATRR

Codice DigiKey
IRFSL9N60ATRR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
IRFSL9N60ATRR
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 9,2 A (Tc) 170W (Tc) Foro passante I2PAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
9,2 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
750mohm a 5,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1400 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
170W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
I2PAK
Contenitore/involucro
TO-262-3 conduttori lunghi, I2PAK, TO-262AA
Codice componente base
IRFSL9
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