Name: SI4100DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4100DY-T1-E3TR-ND
Price: 1.57826 CHF
Availability: InStock

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SI4100DY-T1-E3
Codice DigiKey	SI4100DY-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4100DY-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4100DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI4100DY-T1-E3
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	49 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 6,8 A (Tc) 2,5W (Ta), 6W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI4100DY-T1-E3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6,8 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	63mohm a 4,4A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	600 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta), 6W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SOIC
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base	SI4100

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Nastrato in bobina (TR)