Canale N 200 V 9 A (Tc) 3,1W (Ta), 74W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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Canale N 200 V 9 A (Tc) 3,1W (Ta), 74W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

IRL630SPBF

Codice DigiKey
IRL630SPBF-ND
Produttore
Codice produttore
IRL630SPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 200 V 9 A (Tc) 3,1W (Ta), 74W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
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Modelli EDA/CAD
IRL630SPBF Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
40 nC @ 10 V
Confezionamento
Tubo
Vgs (max)
±10V
Stato componente
Obsoleto
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1100 pF @ 25 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
3,1W (Ta), 74W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
200 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4V, 5V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
400mohm a 5,4A, 5V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Obsoleto
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