


IRL640SPBF | |
|---|---|
Codice DigiKey | IRL640SPBF-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IRL640SPBF |
Descrizione | MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 37 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 200 V 17 A (Tc) 3,1W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IRL640SPBF Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 66 nC @ 5 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±10V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1800 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 3,1W (Ta), 125W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 200 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 5V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 180mohm a 10A, 5V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FQB19N20LTM | onsemi | 642 | FQB19N20LTMCT-ND | Fr. 2.09000 | Simile |
| FQB19N20TM | onsemi | 1’892 | FQB19N20TMCT-ND | Fr. 2.48000 | Simile |
| IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies | 1’581 | IRF640NSTRLPBFCT-ND | Fr. 1.62000 | Simile |
| STB19NF20 | STMicroelectronics | 8’697 | 497-7941-1-ND | Fr. 1.59000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.28000 | Fr. 3.28 |
| 50 | Fr. 1.66680 | Fr. 83.34 |
| 100 | Fr. 1.51060 | Fr. 151.06 |
| 500 | Fr. 1.23710 | Fr. 618.55 |
| 1’000 | Fr. 1.14925 | Fr. 1’149.25 |
| 2’000 | Fr. 1.07542 | Fr. 2’150.84 |
| 5’000 | Fr. 1.03120 | Fr. 5’156.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.28000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.54568 |



