IRLI630GPBF Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

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IRLI630GPBF
Codice DigiKey	IRLI630GPBF-ND
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	IRLI630GPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 6,2 A (Tc) 35W (Tc) Foro passante TO-220-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6,2 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4V, 5V
RDSon (max) a Id, Vgs	400mohm a 3,7A, 5V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (max)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1100 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	35W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220-3
Contenitore/involucro	TO-220-3 Full Pack, linguetta isolata
Codice componente base	IRLI630