IRLL110TR Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

IRLL110TR è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Equivalente parametrico

Vishay Siliconix

In magazzino: 9’792

Prezzo unitario : Fr. 0.74000

Equivalente parametrico

Vishay Siliconix

In magazzino: 4’808

Prezzo unitario : Fr. 0.78000

Equivalente parametrico

Vishay Siliconix

In magazzino: 3

Prezzo unitario : Fr. 0.58000

Simile

Diodes Incorporated

In magazzino: 798

Prezzo unitario : Fr. 1.50000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IRLL110TR
Codice DigiKey	IRLL110TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	IRLL110TR
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 1,5 A (Tc) 2W (Ta), 3,1W (Tc) A montaggio superficiale SOT-223
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,5 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4V, 5V
RDSon (max) a Id, Vgs	540mohm a 900mA, 5V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	6.1 nC @ 5 V
Vgs (max)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	250 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 3,1W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	IRLL110