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MXP120A045SE-T1GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-MXP120A045SE-T1GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-MXP120A045SE-T1GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-MXP120A045SE-T1GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | MXP120A045SE-T1GE3 |
Descrizione | SIC FET,INDUSTRIAL, 1200V, 45M, |
Tempi di consegna standard del produttore | 28 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 1200 V 52 A (Tc) 268W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7L (TO-263 7L) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 56mohm a 26A, 18V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 2,8V a 5mA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 82 nC @ 18 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Vgs (max) +22V, -10V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2483 pF @ 800 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 268W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C |
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore D2PAK-7L (TO-263 7L) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 15V, 18V | Contenitore/involucro |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| MXPQ120A045SE-1GE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-MXPQ120A045SE-1GE3CT-ND | Fr. 4.38869 | Equivalente parametrico |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 800 | Fr. 5.14894 | Fr. 4’119.15 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 5.14894 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 5.56600 |
