Name: SI1013CX-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1013CX-T1-GE3TR-ND
Price: 0.28106 CHF
Availability: InStock

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SI1013CX-T1-GE3
Codice DigiKey	SI1013CX-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI1013CX-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI1013CX-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI1013CX-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 450mA (Ta) 190mW (Ta) A montaggio superficiale SC-89-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	450mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	760mohm a 400mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	2.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	45 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	190mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SC-89-3
Contenitore/involucro	SC-89, SOT-490
Codice componente base	SI1013

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Nastrato in bobina (TR)