SI1024X-T1-GE3 Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

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SI1024X-T1-GE3
Codice DigiKey	SI1024X-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI1024X-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI1024X-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI1024X-T1-GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 485mA 250mW A montaggio superficiale SC-89 (SOT-563F)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI1024X-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	485mA
RDSon (max) a Id, Vgs	700mohm a 600mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	900mV a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0,75nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	-
Potenza - Max	250mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOT-563, SOT-666
Contenitore del fornitore	SC-89 (SOT-563F)
Codice componente base	SI1024

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Nastrato in bobina (TR)