SI1033X-T1-GE3
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SI1033X-T1-GE3

Codice DigiKey
SI1033X-T1-GE3-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SI1033X-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 20V 145mA 250mW A montaggio superficiale SC-89 (SOT-563F)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali P (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
145mA
RDSon (max) a Id, Vgs
8ohm a 150mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
1,5nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
-
Potenza - Max
250mW
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
SOT-563, SOT-666
Contenitore del fornitore
SC-89 (SOT-563F)
Codice componente base
SI1033
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