SI1039X-T1-E3 Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SI1039X-T1-E3
Codice DigiKey	SI1039X-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI1039X-T1-E3
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 870MA SC89-6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 12 V 870mA (Ta) 170mW (Ta) A montaggio superficiale SC-89 (SOT-563F)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	12 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	870mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	165mohm a 870mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	450mV a 250µA (min)
Carica del gate (Qg) max a Vgs	6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	170mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SC-89 (SOT-563F)
Contenitore/involucro	SOT-563, SOT-666
Codice componente base	SI1039