Name: SI1317DL-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1317DL-T1-GE3TR-ND
Price: 0.51888 CHF
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SI1317DL-T1-GE3
Codice DigiKey	SI1317DL-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI1317DL-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI1317DL-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI1317DL-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 1,4 A (Tc) 500mW (Tc) A montaggio superficiale SC-70-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 800mV a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6.5 nC @ 4.5 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 272 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 500mW (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -50°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore SC-70-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,4 A (Tc)	Contenitore/involucro SC-70, SOT-323
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Codice componente base SI1317
RDSon (max) a Id, Vgs 150mohm a 1,4A, 4,5V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SI1317DL-T1-BE3	Vishay Siliconix	4’416	742-SI1317DL-T1-BE3CT-ND	Fr. 0.48000	Diretto
AO7407	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	785-1088-2-ND	Fr. 0.09319	Simile

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Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.51888

SI1317DL-T1-GE3