SI1471DH-T1-E3 Vishay Siliconix | Prodotti a semiconduttore discreti

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SI1471DH-T1-E3
Codice DigiKey	SI1471DH-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI1471DH-T1-E3
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 2,7 A (Tc) 1,5W (Ta), 2,78W (Tc) A montaggio superficiale SC-70-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI1471DH-T1-E3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,7 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	100mohm a 2A, 10V
Vgs(th) max a Id	1,6V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	9.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	445 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,5W (Ta), 2,78W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SC-70-6
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Codice componente base	SI1471