
SI1902CDL-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI1902CDL-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI1902CDL-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI1902CDL-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI1902CDL-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC70-6 |
Tempi di consegna standard del produttore | 10 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 1,1A 420mW A montaggio superficiale SC-70-6 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI1902CDL-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 1,1A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 235mohm a 1A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 3nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 62pF a 10V | |
Potenza - Max | 420mW | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
Contenitore del fornitore | SC-70-6 | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.28000 | Fr. 0.28 |
10 | Fr. 0.15000 | Fr. 1.50 |
100 | Fr. 0.11750 | Fr. 11.75 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.08731 | Fr. 261.93 |
6’000 | Fr. 0.08405 | Fr. 504.30 |
9’000 | Fr. 0.07589 | Fr. 683.01 |
15’000 | Fr. 0.07400 | Fr. 1’110.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.28000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.30268 |