
SI1965DH-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI1965DH-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI1965DH-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI1965DH-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI1965DH-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6 |
Tempi di consegna standard del produttore | 8 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 12V 1,3A 1,25W A montaggio superficiale SC-70-6 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali P (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 12V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 1,3A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 390mohm a 1A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 4,2nC a 8V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 120pF a 6V | |
Potenza - Max | 1,25W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
Contenitore del fornitore | SC-70-6 | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.48000 | Fr. 0.48 |
10 | Fr. 0.35400 | Fr. 3.54 |
100 | Fr. 0.24420 | Fr. 24.42 |
500 | Fr. 0.18614 | Fr. 93.07 |
1’000 | Fr. 0.16742 | Fr. 167.42 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.14582 | Fr. 437.46 |
6’000 | Fr. 0.13328 | Fr. 799.68 |
9’000 | Fr. 0.11261 | Fr. 1’013.49 |
15’000 | Fr. 0.11066 | Fr. 1’659.90 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.48000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.51888 |