
SI2301CDS-T1-E3 | |
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Codice DigiKey | SI2301CDS-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2301CDS-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2301CDS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI2301CDS-T1-E3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 19 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 20 V 3,1 A (Tc) 860mW (Ta), 1,6W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI2301CDS-T1-E3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 20 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 2,5V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 112mohm a 2,8A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 10 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | ±8V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 405 pF @ 10 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 860mW (Ta), 1,6W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | SOT-23-3 (TO-236) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.48000 | Fr. 0.48 |
| 10 | Fr. 0.23000 | Fr. 2.30 |
| 100 | Fr. 0.17890 | Fr. 17.89 |
| 500 | Fr. 0.17052 | Fr. 85.26 |
| 1’000 | Fr. 0.15036 | Fr. 150.36 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.10500 | Fr. 315.00 |
| 30’000 | Fr. 0.10185 | Fr. 3’055.50 |
| 75’000 | Fr. 0.10000 | Fr. 7’500.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.48000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.51888 |










