
SI2304DDS-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI2304DDS-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2304DDS-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2304DDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI2304DDS-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23 |
Tempi di consegna standard del produttore | 19 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 3,3 A (Ta), 3,6 A (Tc) 1,1W (Ta), 1,7W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI2304DDS-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 60mohm a 3,2A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 6.7 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 235 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 1,1W (Ta), 1,7W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | SOT-23-3 (TO-236) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.37000 | Fr. 0.37 |
10 | Fr. 0.21600 | Fr. 2.16 |
100 | Fr. 0.15180 | Fr. 15.18 |
500 | Fr. 0.13072 | Fr. 65.36 |
1’000 | Fr. 0.11689 | Fr. 116.89 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.07915 | Fr. 237.45 |
6’000 | Fr. 0.07834 | Fr. 470.04 |
9’000 | Fr. 0.07099 | Fr. 638.91 |
15’000 | Fr. 0.07000 | Fr. 1’050.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.37000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.39997 |