
SI2308BDS-T1-E3 | |
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Codice DigiKey | SI2308BDS-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2308BDS-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2308BDS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI2308BDS-T1-E3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 2,3 A (Tc) 1,09W (Ta), 1,66W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236) |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 60 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 156mohm a 1,9A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 6.8 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 190 pF @ 30 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 1,09W (Ta), 1,66W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | SOT-23-3 (TO-236) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.65000 | Fr. 0.65 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.65000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.70265 |







