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SI2316BDS-T1-GE3 è obsoleto e non è più in produzione.
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SI2316BDS-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI2316BDS-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2316BDS-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2316BDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI2316BDS-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 4,5 A (Tc) 1,25W (Ta), 1,66W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 50mohm a 3,9A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 9.6 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 350 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 1,25W (Ta), 1,66W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | SOT-23-3 (TO-236) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Obsoleto
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