SI2318DS-T1-E3 è obsoleto e non è più in produzione.
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Scheda tecnica
Canale N 40 V 3 A (Ta) 750mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SI2318DS-T1-E3

Codice DigiKey
SI2318DS-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI2318DS-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI2318DS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SI2318DS-T1-E3
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 3 A (Ta) 750mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SI2318DS-T1-E3 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
15 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
540 pF @ 20 V
Stato componente
Obsoleto
Dissipazione di potenza (max)
750mW (Ta)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Contenitore del fornitore
SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
45mohm a 3,9A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (6)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
SI2318CDS-T1-GE3Vishay Siliconix0SI2318CDS-T1-GE3CT-NDFr. 0.48000Consigliato dal produttore
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Obsoleto
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