
SI2319DDS-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI2319DDS-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2319DDS-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2319DDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI2319DDS-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 40 V 2,7 A (Ta), 3,6 A (Tc) 1W (Ta), 1,7W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI2319DDS-T1-GE3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 19 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 650 pF @ 20 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta), 1,7W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 75mohm a 2,7A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.71000 | Fr. 0.71 |
| 10 | Fr. 0.44000 | Fr. 4.40 |
| 100 | Fr. 0.28480 | Fr. 28.48 |
| 500 | Fr. 0.21806 | Fr. 109.03 |
| 1’000 | Fr. 0.19653 | Fr. 196.53 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.16916 | Fr. 507.48 |
| 6’000 | Fr. 0.15538 | Fr. 932.28 |
| 9’000 | Fr. 0.14835 | Fr. 1’335.15 |
| 15’000 | Fr. 0.14046 | Fr. 2’106.90 |
| 21’000 | Fr. 0.13579 | Fr. 2’851.59 |
| 30’000 | Fr. 0.13125 | Fr. 3’937.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.71000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.76751 |










