Name: SI2323DDS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2323DDS-T1-BE3TR-ND
Price: 0.76751 CHF
Availability: OutOfStock

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SI2323DDS-T1-BE3
Codice DigiKey	742-SI2323DDS-T1-BE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SI2323DDS-T1-BE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SI2323DDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI2323DDS-T1-BE3
Descrizione	P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 4,1A (Ta), 5,3A (Tc) 960mW (Ta), 1,7W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 36 nC @ 8 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1160 pF @ 10 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 960mW (Ta), 1,7W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,1A (Ta), 5,3A (Tc)	Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 39mohm a 4,1A, 4,5V

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
TSM260P02CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	15	1801-TSM260P02CXRFGCT-ND	Fr. 0.67000	Simile
TSM500P02CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	86’619	TSM500P02CXRFGCT-ND	Fr. 0.54000	Simile
TSM650P02CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	45’712	TSM650P02CXRFGCT-ND	Fr. 0.44000	Simile

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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.71000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.76751

SI2323DDS-T1-BE3